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半導体レーザー製作用ICPエッチング装置『RIE-140iP』

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半導体レーザー製作用ICPエッチング装置『RIE-140iP』

半導体レーザー製作用ICPエッチング装置『RIE-140iP』 /サムコ(株)

『RIE-140iP』は、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用した化合物半導体プロセス専用の枚葉式エッチング装置です。独自のトルネードICPを発展させた新型のICPプラズマ源を用い、低圧力領域で安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、GaN、InGaAs系及び4元系化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。オプションの干渉型エッチングモニターによる高精度なエッチング終点検出で、生産効率を高めることが可能です。
応用例としては、半導体レーザーの製作やフォトニック結晶の製作、量子ドットの製作などがあります。

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