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ICPエッチング装置『RIE-200iP』

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ICPエッチング装置『RIE-200iP』

ICPエッチング装置『RIE-200iP』 /サムコ(株)

『RIE-200iP』は、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用したロードロック式エッチング装置です。独自のトルネードICPの採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、化合物半導体およびシリコン、各種金属薄膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。
応用例としては、GaN、GaAs、InP系の電子デバイスや発光デバイスの製作、強誘電体メモリの製作などがあります。

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