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XeF2エッチング装置『VPE-4F』

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XeF2エッチング装置『VPE-4F』

XeF2エッチング装置『VPE-4F』 /サムコ(株)

『VPE-4F』は、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティッキング(張り付き)による自立デバイスの破壊を抑制できます。
また、ウエットプロセスにおける前処理や後処理の必要もありません。ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピード及びガスの使用量の制御が容易です。研究開発用途向けであるため、非常にコンパクトな設計になっています。

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