簡易型スピンコーターSC2005 ／株式会社アイデン
スピンコータは化合物の溶液から薄膜を生成するための装置です。真空蒸着装置では成分が分解してしまうため、薄膜を作ることが難しい化合物やポリマーなどの薄膜生成に適しています。
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レーザ微細加工装置 ／ネオアーク㈱
本装置は、国産・弊社製Nd:YVO4（1064nm）及びその高次高調波（532,355,266nm）光源を用いた直接微細加工装置です。従来の532nm,355nmに加えて、さらに深紫外の266nm,213nmを搭載することにより、セラミックス、金属、ガラス、樹脂等、殆どの物質への加工が可能となりました。
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レーザ直接描画装置 ／ネオアーク㈱
レーザ直接描画装置は、シリコン基板上に塗布されたレジスト材を、レーザ光線で直接描画する露光装置です。従来のマスクを使用する装置に比べ、マスクの作成が不要で、開発時間の短縮が可能です。高精度電動ＸＹステージ、半導体レーザ（波長408nm）、オートフォーカス機能を堅牢な筺体に組み込んだ長寿命でコンパクトな描画装置です。
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多用途プラズマCVD装置MAPLE ／西華産業株式会社
三菱重工業製の多用途プラズマCVD装置MAPLEをご紹介します。本装置では低温(約250℃)で高品質(低水素、低ダメージ)な製膜が可能で、様々なアプリケーションに対応します。絶縁膜としてはMRAM等ダメージに弱い素子周りの絶縁膜形成や、高温プロセスでクラックを生じさせない等、本装置でしか実現出来ないプロセスがあります。また、ボラジン膜によるハードマスクやCuバリア膜等新たなプロセスも提案しております。
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XeF2エッチング装置『VPE-4F』 ／サムコ（株）
『VPE-4F』は、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティッキング（張り付き）による自立デバイスの破壊を抑制できます。
また、ウエットプロセスにおける前処理や後処理の必要もありません。ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピード及びガスの使用量の制御が容易です。研究開発用途向けであるため、非常にコンパクトな設計になっています。
ICPエッチング装置『RIE-200iP』 ／サムコ（株）
『RIE-200iP』は、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を採用したロードロック式エッチング装置です。独自のトルネードICPの採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、化合物半導体およびシリコン、各種金属薄膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。
応用例としては、GaN、GaAs、InP系の電子デバイスや発光デバイスの製作、強誘電体メモリの製作などがあります。
英国HIDEN社 モデルIMP イオンミリング終点検出器 ／アステック（株）
イオンビームエッチング(I.B.E)及び反応性イオンビームエッチング(R.I.B.E)の制御用に設計された製品であり、四重極質量分析の残留ガス分析以外に、表面分析において既に確立されている二次イオン質量分析法(SIMS)を元に、イオンビームエッチング(+Ion)プロセスに特化されたプローブです。 直接検出された二次イオンは、Windows MASsoftによるシグナル表示のカスタマイズやI/Oインターフェイスによるエンドポイントコントロールが出来ます。
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マグネトロンスパッタソース ／株式会社ケーサイエンス
当社のマグネトロンスパッタソースは、マグネトロン放電を利用することで、スパッタ速度の高速化をしています。また、ＤＣ･ＲＦ電源が使用できます。ＤＣ電源では、高融点金属･磁性体などの原料がスパッタリングできます。１３.５６ＭＨｚのＲＦ電源を使用することにより高融点金属･磁性体のほか、半導体･石英・ガラス・アルミナなどの絶縁物がスパッタリングできます。
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