薄膜形成・加工装置

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スパッタ装置 SPK-502 トッキ(株)

スパッタ装置 SPK-502 トッキ(株) /トキワ真空機材(株)

Φ6” マグネトロンカソード RF、DC、スパッタ

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膜厚測定用ドリラー

膜厚測定用ドリラー /株式会社 共和理研

スチールボールを研磨用治具に用い、スヘリカルドリル法に基づくSiのエピタクシャル層、又は拡散層の膜厚を高精度、且つ簡便に測定可能にした装置です。

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スクライバー

スクライバー /株式会社 共和理研

単軸手動式ダイヤモンドポイントスクライバーです。多彩な調整機構により微細加工のお手伝いをいたします。

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マスクアライナー

マスクアライナー /株式会社 共和理研

研究開発を目的としたネガマスク露光の際、サンプルとのアライメントを正確かつ容易に行え、超高圧水銀灯を用いた小型軽量な紫外線照射装置との組み合わせで効率よく露光することが可能なマニュアルUV露光装置です。

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スピンコーター

スピンコーター /株式会社 共和理研

シリコンウェハー及びガラス基盤上にフォトレジスト等の薬液を効率よく、且つ均一に回転塗布することを目的とした高性能小型フォトレジストスピンナーです。

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簡易型スピンコーターSC2005

簡易型スピンコーターSC2005 /株式会社アイデン

スピンコータは化合物の溶液から薄膜を生成するための装置です。真空蒸着装置では成分が分解してしまうため、薄膜を作ることが難しい化合物やポリマーなどの薄膜生成に適しています。

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レーザ微細加工装置

レーザ微細加工装置 /ネオアーク?

本装置は、国産・弊社製Nd:YVO4(1064nm)及びその高次高調波(532,355,266nm)光源を用いた直接微細加工装置です。従来の532nm,355nmに加えて、さらに深紫外の266nm,213nmを搭載することにより、セラミックス、金属、ガラス、樹脂等、殆どの物質への加工が可能となりました。

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レーザ直接描画装置

レーザ直接描画装置 /ネオアーク?

レーザ直接描画装置は、シリコン基板上に塗布されたレジスト材を、レーザ光線で直接描画する露光装置です。従来のマスクを使用する装置に比べ、マスクの作成が不要で、開発時間の短縮が可能です。高精度電動XYステージ、半導体レーザ(波長408nm)、オートフォーカス機能を堅牢な筺体に組み込んだ長寿命でコンパクトな描画装置です。

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XeF2エッチング装置『VPE-4F』

XeF2エッチング装置『VPE-4F』 /サムコ(株)

『VPE-4F』は、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティッキング(張り付き)による自立デバイスの破壊を抑制できます。
また、ウエットプロセスにおける前処理や後処理の必要もありません。ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピード及びガスの使用量の制御が容易です。研究開発用途向けであるため、非常にコンパクトな設計になっています。

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ICPエッチング装置『RIE-200iP』

ICPエッチング装置『RIE-200iP』 /サムコ(株)

『RIE-200iP』は、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用したロードロック式エッチング装置です。独自のトルネードICPの採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、化合物半導体およびシリコン、各種金属薄膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。
応用例としては、GaN、GaAs、InP系の電子デバイスや発光デバイスの製作、強誘電体メモリの製作などがあります。

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