薄膜形成・加工装置

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XeF2エッチング装置『VPE-4F』

XeF2エッチング装置『VPE-4F』 /サムコ(株)

『VPE-4F』は、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティッキング(張り付き)による自立デバイスの破壊を抑制できます。
また、ウエットプロセスにおける前処理や後処理の必要もありません。ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピード及びガスの使用量の制御が容易です。研究開発用途向けであるため、非常にコンパクトな設計になっています。

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ICPエッチング装置『RIE-200iP』

ICPエッチング装置『RIE-200iP』 /サムコ(株)

『RIE-200iP』は、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用したロードロック式エッチング装置です。独自のトルネードICPの採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、化合物半導体およびシリコン、各種金属薄膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。
応用例としては、GaN、GaAs、InP系の電子デバイスや発光デバイスの製作、強誘電体メモリの製作などがあります。

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マグネトロンスパッタソース

マグネトロンスパッタソース /株式会社ケーサイエンス

当社のマグネトロンスパッタソースは、マグネトロン放電を利用することで、スパッタ速度の高速化をしています。また、DC・RF電源が使用できます。DC電源では、高融点金属・磁性体などの原料がスパッタリングできます。13.56MHzのRF電源を使用することにより高融点金属・磁性体のほか、半導体・石英・ガラス・アルミナなどの絶縁物がスパッタリングできます。

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