半導体A(シリコン)

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PV Japan 2011

PV Japan 2011 /SEMI ジャパン

PVJapanは、太陽光発電協会(JPEA)と、電子デバイス製造装置・材料産業の国際工業会SEMIが主催する太陽光発電の総合イベントです。最新の技術や製品が世界から集結するだけではなく、市場、ビジネス、制作情報など、太陽光発電のすべてがご覧いただけます。

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セミコン・ジャパン 2011

セミコン・ジャパン 2011 /SEMI ジャパン

半導体と隣接技術のイノベーションが切り拓く未来。その背後には、SEMICON出展企業の提供する、装置、材料、サービスの技術があります。世界最大の半導体製造装置・材料展セミコン・ジャパン 2011では、次のイノベーションのエレメントとなる製品と技術が、皆様との出会いをお待ちしております。

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シリコンラバーヒーター

シリコンラバーヒーター /オーエムヒーター(株)

シリコンラバーヒーターは従来の金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体で、薄型の為曲面や円筒に巻き付けも可能で熱応答性に優れています。専門メーカーとして、半導体設備用、航空機の補修用まで様々な用途向けを製造しており、独自の製法により1枚からの製造を安価・短納期で行っております。また、独自開発したマグネットタイプのやストレッチタイプのシリコンラバーヒーターで新たな用途への提案を行っています。

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国際会議・分科会・研究会のシンポジウム運営サポート

国際会議・分科会・研究会のシンポジウム運営サポート /日刊工業広告社(日刊工業新聞社グループ)

日刊工業広告社(日刊工業新聞社グループ)では、分科会・研究会等のシンポジウム、国際会議等の運営業務をサポートいたします。展示会出展者の募集や、ポスターセッション、看板設営まで幅広く対応いたします。詳しくはお問い合わせください。

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太陽電池の分析

太陽電池の分析 /(財)材料科学技術振興財団

Si系から有機系まで、各種太陽電池の開発を分析でサポート。SIMS・TEM・XRDなど各種装置を用いた受託分析を承ります。 界面・局所領域の高分解能評価、光吸収層の均一性評価など、現象の解明・課題の解決に役立つ手段をご提案いたします。 各種太陽電池の分析はMST財団法人材料科学技術振興財団へご相談ください。

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受託分析サービス

受託分析サービス /(財)材料科学技術振興財団

SIMS・TEM・XRDなど各種装置を用いた受託分析を承ります。知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。最新の分析機器を導入し、高品質なデータを短納期でお届け。
お急ぎの際はMST財団法人材料科学技術振興財団へご相談ください。

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高速Siディープエッチング装置『RIE-800iPB』

高速Siディープエッチング装置『RIE-800iPB』 /サムコ(株)

『RIE-800iPB』は、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用した高速ボッシュプロセス専用のSiディープエッチング装置で、MEMSに求められるSiの高速かつ高異方性エッチングに対応した高性能な装置です。低スキャロップ加工やウエハー貫通エッチングも可能です。
応用例としては、加速度センサーやジャイロセンサー、アクチュエータなどの製作、インクジェットプリンターヘッドの加工、3次元LSIでのビアホール形成、μTASなどの医療機器の製作などがあります。

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スポット温度環境試験装置

スポット温度環境試験装置 /ヤーマン(株)

広い温度範囲(-90℃~+225℃)と速い温度可変時間(-55度+125℃、4秒以下)を持った、業界最高スペックの温度環境試験装置。カラーグラフィックタッチパネルを用いているためどなたでも簡単に操作可能。サイクル試験機能、IEEE488インターフェース標準装備。

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ライフタイム測定器 WCT-120

ライフタイム測定器 WCT-120 /ミワオプト(株)

WTC-120 は、デバイス研究および工程管理に適した、お手頃価格で購入できる卓上型シリコン用ライフタイム測定器です。本機器を使えばボタンひとつで、抵抗、ライフタイム、トラップ密度およびエミッター飽和電流密度を含むシリコンウェーハの主な特性を検出できます。

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TEOS-SiO2膜形成用高速プラズマCVD装置『PD-270STL』

TEOS-SiO2膜形成用高速プラズマCVD装置『PD-270STL』 /サムコ(株)

『PD-270STL』は、液体ソースのTEOSを用いるSiO2膜形成用プラズマCVD装置です。独自のセルフバイアス法の採用により、高速かつ低ストレスの成膜が可能です。低温でステップカバレージと埋め込み効果に優れた高品質のSiO2膜を厚膜まで形成することが可能であり、Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御も可能です。
応用例としては、光導波路などの光学部品の製造や3次元LSIでの貫通ビア形成プロセスにおける側壁への絶縁膜形成、MEMSのマスク及び酸化膜犠牲層形成、プラスチック材料の保護膜形成などがあります。

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