●収束電子線回折(CBED)による応力評価●反射EELSと理論解析による化学結合状態評価●薄膜の密着性評価●光ICTSによる半導体中の欠陥評価●高分解能ラザフォード後方散乱分析法による極浅注入イオンの評価